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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N4448X-TP
1N4448X-TP PDF预览

1N4448X-TP

更新时间： 2024-10-30 13:03:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 410K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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1N4448X-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：1.28Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

1N4448X-TP 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
1N4448  
Features  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
·
·
·
Low Current Leakage  
Metalurgically Bonded Construction  
Low Cost  
500mW 100Volt  
Switching Diode  
·
•
Marking : Cathode band and type number  
Moisture Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
DO-35  
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 35°C/W Junction To Ambient  
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Reverse Voltage  
Peak Reverse  
Voltage  
Average Rectified  
Current  
VR  
VRM  
75V  
100V  
A
IO  
150mA Resistive Load  
f >= 50Hz  
Cathode  
Mark  
Power Dissipation  
Junction  
Temperature  
Peak Forward Surge  
Current  
PTOT  
TJ  
500mW  
150°C  
B
D
IFSM  
500mA t<1s  
C
Instantaneous  
Forward Voltage  
VF  
1.0V(MAX) IFM = 100mA;  
0.62-0.72V IFM = 5.0mA  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
Typical Junction  
Capacitance  
VR=20Volts  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
VR=75Volts  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
IF=10mA  
IR  
25nA  
50mA  
5uA  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
---  
---  
---  
MM  
MIN  
CJ  
Trr  
4pF  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.166  
.079  
.020  
---  
MAX  
4.2  
NOTE  
---  
---  
2.00  
.52  
---  
Reverse Recovery  
Time  
4nS  
---  
VR = 6V  
1.000  
25.40  
RL=100W  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%  
Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 4  
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与1N4448X-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4448X-TP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, P
1N4448Z SWST

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 		小信号开关二极管
1N4449 NJSEMI

获取价格

 		HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
1N4449 SURGE

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4449 FAIRCHILD

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 		General Purpose Diodes
1N4449 SYNSEMI

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 		HIGH SPEED SWITCHING DIODE
1N4449 MICROSEMI

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 		COMPUTER DIODE Switching
1N4449 GOOD-ARK

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1N4449 SEMTECH

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 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1N4449 LUNSURE

获取价格

 		SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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