是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.58 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.25 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.15 W | 最大重复峰值反向电压: | 75 V |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4448Z | SWST |
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小信号开关二极管 | |
1N4449 | NJSEMI |
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HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES | |
1N4449 | SURGE |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, | |
1N4449 | FAIRCHILD |
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General Purpose Diodes | |
1N4449 | SYNSEMI |
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HIGH SPEED SWITCHING DIODE | |
1N4449 | MICROSEMI |
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COMPUTER DIODE Switching | |
1N4449 | GOOD-ARK |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES | |
1N4449 | SEMTECH |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
1N4449 | LUNSURE |
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SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE | |
1N4449 | EIC |
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Switching Diodes |