生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.67 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 2 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.15 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向电流: | 5 µA | 最大反向恢复时间: | 0.004 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4449HF | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon | |
1N4449HG | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon | |
1N4449HJ | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon | |
1N4449LEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
1N4449R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, | |
1N4449T-11A | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
1N4449T-12 | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
1N4449T-12A | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
1N4449T-15A | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 | |
1N4449T-73 | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |