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1N4449R

更新时间: 2024-02-02 21:05:05
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 121K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,

1N4449R 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.55外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4449R 数据手册

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