5秒后页面跳转
1N4450 PDF预览

1N4450

更新时间: 2024-11-14 20:22:31
品牌 Logo 应用领域
SURGE 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 995K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35,

1N4450 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.7
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4450 数据手册

  

与1N4450相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4450FV ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
1N4450HA ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
1N4450HG ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
1N4450HJ ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
1N4450HL ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
1N4450HO ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
1N4450HX ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
1N4450R MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon,
1N4450T-11 ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4450T-11A ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35