5秒后页面跳转
1N4450X PDF预览

1N4450X

更新时间: 2024-02-27 14:40:56
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 121K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon,

1N4450X 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向电流:0.05 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4450X 数据手册

 浏览型号1N4450X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4450X的Datasheet PDF文件第3页 

与1N4450X相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N4451 LUNSURE SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

获取价格

1N4451 SURGE Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35,

获取价格

1N4451 NJSEMI DIODE

获取价格

1N4451 GOOD-ARK SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES

获取价格

1N4451 SEMTECH SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

获取价格

1N4451 SUNMATE Switching Diodes Switch detector

获取价格