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1N4449

更新时间： 2024-11-15 14:54:23

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Switching Diodes

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1N4449 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	Base Number Matches：	1

1N4449 数据手册

www.eicsemi.com

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

1N4449

DO - 35 Glass

(DO-204AH)

FEATURES :

• High switching speed: max. 4 ns

• Reverse voltage:max. 75V

• Peak reverse voltage:max. 100 V

• Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

0.150 (3.8)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

0.020 (0.52)max.

min.

MECHANICAL DATA :

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics ( Ta = 25 °C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

Maximum Peak Reverse Voltage

Maximum Reverse Voltage

Maximum Forward DC Current

Maximum Average Forward Current

Maximum Surge Forward Current at tp = 1 µs

Power Dissipation

100

200

I_F

I_F(AV)

I_FSM

P_D

150

500

°C

T_J

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

200

T_STG

-65 to + 200

°C

Electrical Characteristics ( Ta = 25 °C)

Test Condition

V_R= 20 V

Min.

Typ.

Max.

Unit

Parameter

Symbol

0.73

1.0

I_R

Reverse Current

Forward Voltage

V_R= 20 V , Tj = 150 °C

I_F= 5 mA

0.63

μA

V_F

I_F= 30 mA

V_(BR)R

Reverse Breakdown Voltage

Diode Capacitance

I_R= 100 μA (pulsed)

100

f = 1MHz ; V_R= 0

I_F= 10 mA ,V_R= 6 V,

Reverse Recovery Time

Trr

R_L= 100 Ω

Page 1 of 2

Rev. 01 : May 9, 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4449-1E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC
1N4449BK	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4449BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4449FV	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
1N4449HA	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
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