5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.32 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AH |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压： | 75 V | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4449BK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N4449BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N4449FV | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| 1N4449HA | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| 1N4449HC | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| 1N4449HE | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| 1N4449HF | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| 1N4449HG | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| 1N4449HJ | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| 1N4449LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
