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1N4449

更新时间: 2024-09-13 12:50:15
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NJSEMI 整流二极管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 106K
描述
HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES

1N4449 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:DO-35, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.61
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4449 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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