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1N4150-T3

更新时间： 2024-11-14 14:46:07

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	106K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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1N4150-T3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.31
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N4150-T3 数据手册

SENSITRON

1N4150

FAST SWITCHING DIODE

SEMICONDUCTOR

Data Sheet 2769, Rev. -

Features

ꢀ

Fast Switching Speed

ꢀ

Glass Package Version for High Reliability

High Conductance

Available in Both Through-Hole and Surface

Mount Versions

1N4150

Mechanical Data

DO-35

Max

Dim Min

Min

1.000

Max

—

ꢀ

Case: DO-35

25.40

—

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

4.00

0.60

2.00

—

0.157

0.024

0.079

—

ꢀ

—

Weight:

DO-35

0.13 grams

in mm

In inch

Marking: Cathode Band Only

Maximum Ratings ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

Forward Continuous Current (Note 1)

I^FM

I^O

600

200

Rectified Current (Average), Half Wave Rectification with

Resistive Load and f ≧ 50MHz (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

Derate Above 25°C

P^d

500

°C

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-65 to +200

Data Sheet 2769, Rev. -

Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

Test Condition

I_F= 200mA

V_R= 50V

Maximum Forward Voltage

Maximum Peak Reverse Current

Capacitance

V^FM

I^RM

C^j

—

1.0

0.1

4.0

µA

V_R= 0, f = 1.0MHz

I_F= 10mA to I_R= 1.0mA

V_R= 6.0V, R_L= 100Ω

Reverse Recovery Time

t^rr

—

4.0

Note: 1. Diode on Ceramic Substrate 10mm x 8mm x 0.7mm.

• 221 West Industry Court ! Deer Park, NY 11729-4681 ! (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4150T50A	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
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1N4150T-73	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
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