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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.47 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.5 V | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最大输出电流： | 3.5 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3570 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier |
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| 1N3571 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier |
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| 1N3572 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier |
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| 1N3573 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier |
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| 1N3574 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifier |
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| 1N358 | SKYWORKS |
获取价格 |
Mixer Diode, Zero Barrier, L Band to X Band, Silicon |
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| 1N3581A | NJSEMI |
获取价格 |
Ref/Reg Diode, 400mW < P(D) < 1W |
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| 1N3582A | VISHAY |
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Zener Diode, 11.7V V(Z), 5%, 1W, Silicon, DO-13, MEATL PACKAGE-2 |
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| 1N3587 | NJSEMI |
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Si Rectifier, 200A < I(O)/I(F) s 500A |
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| 1N358AR | SKYWORKS |
获取价格 |
Diode, |
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