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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | GERMANIUM | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.08 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 25 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.04 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3592R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3592X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3595 | NJSEMI |
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low leakage planar diode. |
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| 1N3595 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Diode Absolute Maximum Ratings |
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| 1N3595 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Leakage Diode |
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| 1N3595 | ONSEMI |
获取价格 |
高电导快速二极管 |
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| 1N3595 | CENTRAL |
获取价格 |
150mA,150V Through-Hole Diode-Switching Single |
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| 1N3595 | SUNMATE |
获取价格 |
Switching Diodes Switch detector |
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| 1N3595.TR | TI |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,150V V(RRM),DO-35 |
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| 1N3595-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DIODES |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
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