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1N3595US-1E3

更新时间: 2024-01-22 19:20:16
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
20页 237K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, MELF-2

1N3595US-1E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.62
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大反向恢复时间:3 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

1N3595US-1E3 数据手册

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