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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-35 | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.41 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 125 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3595.TR | TI |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,150V V(RRM),DO-35 |
|
| 1N3595-1 | MICROSEMI |
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GENERAL PURPOSE DIODES |
|
| 1N3595-1 | SENSITRON |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N3595-1_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N3595-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 125V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK |
|
| 1N3595-1HARDGLASS | MICROSEMI |
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Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
|
| 1N3595A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N3595AUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N3595DHD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS, CB-102, 2 PIN |
|
| 1N3595E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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