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1N3600

更新时间: 2024-11-22 22:34:55
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美国国家半导体 - NSC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Diode Data

1N3600 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N3600 数据手册

  

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