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1N3596

更新时间: 2024-02-19 01:55:40
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其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 267K
描述
silicon diode

1N3596 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.075 A最大重复峰值反向电压:20 V
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

1N3596 数据手册

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