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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3595.TR | TI |
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RECTIFIER DIODE,150V V(RRM),DO-35 |
|
| 1N3595-1 | MICROSEMI |
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GENERAL PURPOSE DIODES |
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| 1N3595-1 | SENSITRON |
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SWITCHING DIODE |
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| 1N3595-1_1 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE |
|
| 1N3595-1E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 125V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK |
|
| 1N3595-1HARDGLASS | MICROSEMI |
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Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
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| 1N3595A-1 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE |
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| 1N3595AUR-1 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE |
|
| 1N3595DHD | STMICROELECTRONICS |
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0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS, CB-102, 2 PIN |
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| 1N3595E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
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