5秒后页面跳转
1N3570 PDF预览

1N3570

更新时间: 2024-01-13 20:12:18
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 123K
描述
Silicon Rectifier

1N3570 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.6
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.5 V
JEDEC-95代码:DO-4JESD-30 代码:O-MUPM-D1
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:3.5 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N3570 数据手册

  

与1N3570相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N3571 NJSEMI Silicon Rectifier

获取价格

1N3572 NJSEMI Silicon Rectifier

获取价格

1N3573 NJSEMI Silicon Rectifier

获取价格

1N3574 NJSEMI Silicon Rectifier

获取价格

1N358 SKYWORKS Mixer Diode, Zero Barrier, L Band to X Band, Silicon

获取价格

1N3581A NJSEMI Ref/Reg Diode, 400mW < P(D) < 1W

获取价格