生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.76 | 配置: | SINGLE |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.55 V |
最大非重复峰值正向电流: | 5000 A | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最大输出电流: | 300 A |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3172R | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3172RIL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 300A, 800V V(RRM), | |
1N3173 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3173 | NJSEMI |
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Diode Switching 900V 240A 2-Pin DO-9 | |
1N3173A | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3173AR | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3173ARE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 900V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 | |
1N3173R | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3173RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 900V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 | |
1N3174 | NJSEMI |
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Si Rectifier, 200A < I(O)/I(F) s 500A |