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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.55 V |
| 最大非重复峰值正向电流： | 5000 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 300 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3175 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3175 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 1.2KV 240A 2-Pin DO-9 |
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| 1N3175R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3176 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3176 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 1.4KV 240A 2-Pin DO-9 |
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| 1N3176R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3176RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 |
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| 1N3177 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3177R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3177RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 |
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