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1N3177R

更新时间: 2024-11-09 21:53:35
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 130K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N3177R 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-9包装说明:METAL, DO-9, 1 PIN
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.57Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-205AB
JESD-30 代码:O-MUPM-H1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:3000 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:240 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1600 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3177R 数据手册

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与1N3177R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3177RE3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1
1N3182 NJSEMI

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DIODE
1N3189 NJSEMI

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1N319 NJSEMI

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1N3190 NJSEMI

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Si Rectifiers, 500mA < I(O)/I(F) s 1A
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