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| 生命周期： | Active | 包装说明： | METAL, DO-9, 1 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-205AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 | 最大非重复峰值正向电流： | 3000 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 240 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 900 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3174 | NJSEMI |
获取价格 |
Si Rectifier, 200A < I(O)/I(F) s 500A |
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| 1N3174 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3174A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3174AR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3174ARE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 |
|
| 1N3174IL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 300A, 1000V V(RRM), |
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| 1N3174R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3174RA | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3174RIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 300A, 1000V V(RRM), |
|
| 1N3175 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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