生命周期: | Active | 包装说明: | METAL, DO-9, 1 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N | 应用: | POWER |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-205AB | JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 |
最大非重复峰值正向电流: | 3000 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 240 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
最大重复峰值反向电压: | 1600 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3182 | NJSEMI |
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DIODE | |
1N3189 | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 100A 2-Pin DO-8 | |
1N319 | NJSEMI |
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Diode Zener Single 8.4V 5% 500mW 2-Pin DO-7 | |
1N3190 | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 100A 2-Pin DO-8 | |
1N3191 | NJSEMI |
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Si Rectifiers, 500mA < I(O)/I(F) s 1A | |
1N3193 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS | |
1N3194 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS | |
1N3195 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS | |
1N3196 | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS | |
1N31A | ASI |
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Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, 17000ohm Z(V) Max, Silicon, DO-37, DO-37, 2 PIN |