是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-9 |
包装说明: | METAL, DO-9, 1 PIN | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.54 | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-205AB | JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 3000 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 240 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1400 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3176R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3176RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 | |
1N3177 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3177R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3177RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 | |
1N3182 | NJSEMI |
获取价格 |
DIODE | |
1N3189 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 200V 100A 2-Pin DO-8 | |
1N319 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 8.4V 5% 500mW 2-Pin DO-7 | |
1N3190 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 200V 100A 2-Pin DO-8 | |
1N3191 | NJSEMI |
获取价格 |
Si Rectifiers, 500mA < I(O)/I(F) s 1A |