是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-261AA |
包装说明: | SOT-223, 4 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 15 weeks | 风险等级: | 0.96 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 6 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JEDEC-95代码: | TO-261AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 130 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FZT851TA | DIODES |
类似代替 |
60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZX5T851GTA | DIODES |
类似代替 |
60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
DZT851-13 | DIODES |
类似代替 |
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZXTN2010GTC | ZETEX |
获取价格 |
60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZXTN2010GTC | DIODES |
获取价格 |
60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZXTN2010Z | DIODES |
获取价格 |
60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 | |
ZXTN2010Z-13R | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor | |
ZXTN2010ZQ | DIODES |
获取价格 |
NPN, 60V, 5A, SOT89 | |
ZXTN2010ZQTA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor | |
ZXTN2010ZTA | DIODES |
获取价格 |
60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 | |
ZXTN2011G | DIODES |
获取价格 |
100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION | |
ZXTN2011G | ZETEX |
获取价格 |
100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZXTN2011G_06 | ZETEX |
获取价格 |
100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |