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ZXTN2011GTA

更新时间: 2024-01-27 08:53:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION

ZXTN2011GTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOT-89, 3 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.4
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4.5 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2.1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzBase Number Matches:1

ZXTN2011GTA 数据手册

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ZXTN2011G  
100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION  
TRANSISTOR IN SOT223  
SUMMARY  
BVCEO = 100V : RSAT = 36m ; IC = 6A  
DESCRIPTION  
Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 100V NPN transistor  
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits  
and various driving and power management functions.  
FEATURES  
SOT223  
6 amps continuous current  
Up to 10 amps peak current  
Very low saturation voltages  
APPLICATIONS  
Motor driving  
Line switching  
High side switches  
Subscriber line interface cards (SLIC)  
ORDERING INFORMATION  
PINOUT  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY PER  
REEL  
ZXTN2011GTA  
ZXTN2011GTC  
7”  
12mm  
1,000 units  
4,000 units  
embossed  
13”  
DEVICE MARKING  
ZXTN  
2011  
TOP VIEW  
ISSUE 2 - MAY 2006  
1
SEMICONDUCTORS  

ZXTN2011GTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FZT853TA DIODES

完全替代

100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
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60V, SOT23, NPN medium power transistor