是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-89 |
包装说明: | SOT-89, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.15 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 5 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 2.1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 130 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZXTN2011G | DIODES |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION | |
ZXTN2011G | ZETEX |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZXTN2011G_06 | ZETEX |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZXTN2011GTA | ZETEX |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZXTN2011GTA | DIODES |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION | |
ZXTN2011GTC | DIODES |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION | |
ZXTN2011GTC | ZETEX |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 | |
ZXTN2011Z | ZETEX |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 | |
ZXTN2011Z | DIODES |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 | |
ZXTN2011ZTA | DIODES |
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100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |