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ZXTN2010GTC

更新时间： 2024-10-30 07:42:23

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
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6页	134K
描述
60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZXTN2010GTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-261AA	包装说明：	SOT-223, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTN2010GTC 数据手册

ZXTN2010G

60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

SUMMARY

= 60V : R

= 35m ; I = 6A

CEO

SAT C

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V NPN transistor

offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits

and various driving and power management functions.

FEATURES

SOT223

• Extremely low equivalent on-resistance; R_SAT= 35mV at 6A

• 6 amps continuous current

• Up to 20 amps peak current

• Very low saturation voltages

• Excellent h_FEcharacteristics up to 10 amps

APPLICATIONS

• Emergency lighting circuits

• Motor driving (including DC fans)

• Solenoid, relay and actuator drivers

• DC Modules

• Backlight Inverters

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY PER

REEL

ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTC

7”

12mm

1000 units

4000 units

embossed

13”

TOP VIEW

DEVICE MARKING

ZXTN

2010

ISSUE 2 - MAY 2006

SEMICONDUCTORS

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXTN2010ZQ	DIODES	获取价格	NPN, 60V, 5A, SOT89
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ZXTN2010ZTA	DIODES	获取价格	60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
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