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ZXMP6A17DN8TA

更新时间： 2024-10-14 07:42:31

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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7页	168K
描述
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP6A17DN8TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.36
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A	最大漏极电流 (ID)：	2.3 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.15 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11.1 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP6A17DN8TA 数据手册

ZXMP6A17DN8

DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS= -60V; R_DS(ON)= 0.125 ; I_D= -3.2A

DESCRIPTION

This new generation of high cell density trench MOSFETs from Zetex utilizes a

unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast

switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

SO8

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC-DC Converters

Power management functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

PINOUT

ZXMP6A17DN8TA

ZXMP6A17DN8TC

7’‘

12mm

500 units

13’‘

2500 units

DEVICE MARKING

ZXMP

6A17D

Top view

ISSUE 1 - OCTOBER 2005

SEMICONDUCTORS

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXMP6A17DN8TC	ZETEX	获取价格	DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17DN8TC	DIODES	获取价格	DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17E6	DIODES	获取价格	60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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ZXMP6A17E6Q	DIODES	获取价格	60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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