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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVN3320DWP
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ZVN3320DWP

更新时间： 2024-09-13 12:59:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.030 X 0.030 INCH, G21, DIE-2

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ZVN3320DWP 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.22配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏源导通电阻：25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XUUC-N2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZVN3320DWP 数据手册

  
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN3320F  
ISSUE 3 – DECEMBER 1995  
✪
FEATURES  
*
*
200 Volt VDS  
RDS(on)= 25Ω  
S
D
G
PARTMARKING DETAIL – MU  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
200  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
60  
1
mA  
A
IDM  
Gate-Source Voltage  
VGS  
V
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source  
Breakdown Voltage  
BVDSS  
200  
V
ID=1mA, VGS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
1.0  
3.0  
V
ID=1mA, VDS= VGS  
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
100  
nA  
V
GS=± 20V, VDS=0V  
Zero Gate Voltage  
Drain Current  
10  
50  
V
V
DS=200V, VGS=0V  
DS=160V, VGS=0V,  
µA  
µA  
T=125°C(2)  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
250  
75  
mA  
VDS=25V, VGS=10V  
VGS=10V,ID=100mA  
Static Drain-Source On-State  
Resistance (1)  
RDS(on)  
25  
Ω
Forward Transconductance(1) gfs  
(2)  
mS  
VDS=25V,ID=100mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
45  
18  
pF  
pF  
Common Source  
Output Capacitance (2)  
Coss  
VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance Crss  
(2)  
5
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
5
7
6
6
ns  
ns  
ns  
ns  
V
DD ≈25V, ID=100mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
3 - 398  
1

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