5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ZVN2110G
ZVN2110G PDF预览

ZVN2110G

更新时间： 2024-10-14 07:42:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

ZVN2110G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：1.32Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1376493
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT223 (AP02002)_1
Samacsys Released Date：2018-09-26 11:19:37Is Samacsys：N
其他特性：FAST SWITCHING外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A最大漏极电流 (ID)：0.5 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZVN2110G 数据手册

 浏览型号ZVN2110G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZVN2110G的Datasheet PDF文件第3页 
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN2110G  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
D
*
*
6A PULSE DRAIN CURRENT  
FAST SWITCHING SPEED  
S
D
PARTMARKING DETAIL -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
ZVN2110  
G
ZVP2110G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Dra in -S o u rce Vo lta g e  
100  
Co n tin u o u s Drain Cu rren t at Ta m b=25°C  
Pu ls ed Dra in Cu rre n t  
ID  
500  
m A  
A
IDM  
6
Ga te S o u rce Vo lta g e  
VGS  
V
± 20  
2
Po w er Dis s ip a tio n a t Ta m b=25°C  
Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e  
Pto t  
W
Tj:Ts tg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate-Source Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
BV  
100  
0.8  
V
I =1m A, V =0V  
D GS  
DSS  
V
GS(th)  
2.4  
V
I =1m A, V = V  
DS GS  
D
I
0.1 20  
nA  
V
GS  
=± 20V, V =0V  
DS  
GSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
1
100  
V
V
DS  
=100V, V =0  
=80V, V =0V, T=125°C(2)  
GS  
µA  
µA  
DSS  
DS GS  
On-State Drain Current(1)  
I
1.5  
2
A
V
=25V, V =10V  
D(on)  
DS GS  
Static Drain-Source On-State  
Resistance (1)  
R
4
V
=10V, I =1A  
Ω
DS(on)  
GS D  
Forward Transconductance (1)(2)  
Input Capacitance (2)  
g
250 350  
m S  
pF  
pF  
V
=25V, I =1A  
fs  
DS D  
C
59  
16  
75  
25  
iss  
Com m on Source Output  
Capacitance (2)  
C
V
=25 V, V =0V, f=1MHz  
oss  
DS GS  
Reverse Transfer Capacitance (2)  
Turn-On Delay Tim e (2)(3)  
Rise Tim e (2)(3)  
C
4
4
4
8
8
8
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
rss  
t
t
t
t
7
d(on)  
8
r
V
DD  
≈25V, I =1A  
D
Turn-Off Delay Tim e (2)(3)  
Fall Tim e (2)(3)  
13  
13  
d(off)  
f
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Dio d e Fo rw a rd Vo lta g e (1)  
Reve rs e Re co ve ry Tim e  
VS D  
TRR  
0.82  
112  
V
IS=0.32A, VGS=0  
n s  
IF=0.32A, VGS=0, IR=0.1A  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.  
(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator  
3 - 387  
123

中文翻译

下载PDF

与ZVN2110G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZVN2110G/TA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR MOSFET SOT-223
ZVN2110GTA DIODES

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN2110GTC ZETEX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN2110L ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220
ZV-N21-2 OMRON

获取价格

 		Long Service Life and Large Breaking Power
ZVN2120A ZETEX

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2120A DIODES

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2120AM1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 180MA I(D) | SO
ZVN2120ASM ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2120ASMTA ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与ZVN2110G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证