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ZVN2110GTC PDF预览

ZVN2110GTC

更新时间： 2024-10-14 19:49:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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ZVN2110GTC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1其他特性：FAST SWITCHING
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：0.5 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：8 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：26 ns最大开启时间（吨）：15 ns
Base Number Matches：1

ZVN2110GTC 数据手册

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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN2110G  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
D
*
*
6A PULSE DRAIN CURRENT  
FAST SWITCHING SPEED  
S
D
PARTMARKING DETAIL -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
ZVN2110  
G
ZVP2110G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Dra in -S o u rce Vo lta g e  
100  
Co n tin u o u s Drain Cu rren t at Ta m b=25°C  
Pu ls ed Dra in Cu rre n t  
ID  
500  
m A  
A
IDM  
6
Ga te S o u rce Vo lta g e  
VGS  
V
± 20  
2
Po w er Dis s ip a tio n a t Ta m b=25°C  
Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e  
Pto t  
W
Tj:Ts tg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate-Source Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
BV  
100  
0.8  
V
I =1m A, V =0V  
D GS  
DSS  
V
GS(th)  
2.4  
V
I =1m A, V = V  
DS GS  
D
I
0.1 20  
nA  
V
GS  
=± 20V, V =0V  
DS  
GSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
1
100  
V
V
DS  
=100V, V =0  
=80V, V =0V, T=125°C(2)  
GS  
µA  
µA  
DSS  
DS GS  
On-State Drain Current(1)  
I
1.5  
2
A
V
=25V, V =10V  
D(on)  
DS GS  
Static Drain-Source On-State  
Resistance (1)  
R
4
V
=10V, I =1A  
Ω
DS(on)  
GS D  
Forward Transconductance (1)(2)  
Input Capacitance (2)  
g
250 350  
m S  
pF  
pF  
V
=25V, I =1A  
fs  
DS D  
C
59  
16  
75  
25  
iss  
Com m on Source Output  
Capacitance (2)  
C
V
=25 V, V =0V, f=1MHz  
oss  
DS GS  
Reverse Transfer Capacitance (2)  
Turn-On Delay Tim e (2)(3)  
Rise Tim e (2)(3)  
C
4
4
4
8
8
8
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
rss  
t
t
t
t
7
d(on)  
8
r
V
DD  
≈25V, I =1A  
D
Turn-Off Delay Tim e (2)(3)  
Fall Tim e (2)(3)  
13  
13  
d(off)  
f
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Dio d e Fo rw a rd Vo lta g e (1)  
Reve rs e Re co ve ry Tim e  
VS D  
TRR  
0.82  
112  
V
IS=0.32A, VGS=0  
n s  
IF=0.32A, VGS=0, IR=0.1A  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.  
(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator  
3 - 387  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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