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ZVN2120ASTZ

更新时间: 2024-12-03 21:19:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

ZVN2120ASTZ 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.03
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):0.18 A最大漏源导通电阻:10 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-W3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ZVN2120ASTZ 数据手册

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Obsolete. Alternative is ZVN0124A.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT  
ZVN2120A  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
200 Volt VDS  
RDS(on)= 10  
D
G
S
E-Line  
TO92 Com patible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Dra in -S o u rce Vo ltag e  
200  
180  
Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at Ta m b=25°C  
Pu ls e d Dra in Cu rre n t  
ID  
m A  
A
IDM  
2
Ga te S o u rce Vo lta g e  
VGS  
V
± 20  
Po w e r Dis s ip a tio n a t Ta m b=25°C  
Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e  
Pto t  
700  
m W  
°C  
Tj:Ts tg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL MIN.  
MAX. UNIT CONDITIONS .  
Dra in -S o u rce Bre akd o w n  
Vo lta g e  
BVDS S 200  
V
ID=1m A, VGS=0V  
Ga te-S o u rce Th res h o ld  
Vo lta g e  
VGS (th )  
1
3
V
ID=1m A, VDS= VGS  
Ga te-Bo d y Lea ka g e  
IGS S  
IDS S  
20  
n A  
V
GS=± 20V, VDS=0V  
Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in  
Cu rre n t  
10  
100  
VDS=200V, VGS=0  
VDS=160V, VGS=0V,  
µA  
µA  
T=125°C(2)  
On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)  
ID(o n )  
500  
100  
m A  
VDS=25V, VGS=10V  
VGS=10V,ID=250m A  
S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te RDS (o n )  
Res is ta n ce (1)  
10  
Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce  
(1)(2)  
g fs  
m S  
VDS=25V,ID=250m A  
In p u t Ca p a citan ce (2)  
Cis s  
85  
20  
p F  
p F  
Co m m o n S o u rce Ou tp u t  
Cap acita n ce (2)  
Co s s  
VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz  
Reve rs e Tra n s fe r  
Cap acita n ce (2)  
Crs s  
7
p F  
Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)  
Ris e Tim e (2)(3)  
td (o n )  
tr  
td (o ff)  
tf  
8
n s  
n s  
n s  
n s  
8
VDD 25V, ID=250m A  
Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)  
Fa ll Tim e (2)(3)  
20  
12  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle 2%  
(2) Sam ple test.  
3-368  
(
3

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