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ZVN2120ZTA

更新时间: 2024-10-03 20:03:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 200V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ZVN2120ZTA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.23
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):0.27 A
最大漏源导通电阻:10 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):2 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ZVN2120ZTA 数据手册

  

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