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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.23 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZV-N22-2 | OMRON |
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Long Service Life and Large Breaking Power |
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| ZVN2220B | ZETEX |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| ZVN2220L | ZETEX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| ZV-N22-2S | OMRON |
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General-purpose Enclosed Switches with High Breaking Capacity and High Durability |
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| ZVN2535 | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN2535A | ZETEX |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN2535AM1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 90MA I(D) | SO |
|
| ZVN2535ASM | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN2535ASMTA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN2535ASMTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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