ZVN2120G

更新时间： 2024-10-03 07:42:47

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN2120G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.32 A
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN2120G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN2120G

ISSUE 2 - FEBRUARY 1996

✪

FEATURES:

V_DS- 200V

R_DS(ON)- 10Ω

PARTMARKING DETAIL - ZVN2120

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

200

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

320

m A

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

200

I_D=1m A, V_GS=0V

Gate-Sou rce Threshold Voltage V_{GS (th )}

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=200V, V_GS=0V

V_DS=160V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

500

100

m A

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V, I_D=250m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Forward Transconductance(1)(2) g _fs

m S

p F

V_DS=25V, I_D=250m A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance (2) C_{rs s}

p F

n s

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

V_DD≈25V, I_D=250m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

3 - 390

12 3

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