Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVN2120ASTOA

ZVN2120ASTOA

更新时间： 2024-11-25 13:01:35

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVN2120ASTOA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.01	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	0.18 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN2120ASTOA 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN2120A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)= 10Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

200

180

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}200

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=200V, V_GS=0

V_DS=160V, V_GS=0V,

µA

T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

500

100

m A

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=250m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te R_{DS (o n )}

Res is ta n ce (1)

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

m S

V_DS=25V,I_D=250m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r

Cap acita n ce (2)

C_{rs s}

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

t_{d (o ff)}

t_f

n s

V_DD≈25V, I_D=250m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sam ple test.

3-368

(

12 3

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