ZVN2110GTA

更新时间： 2024-10-14 13:16:15

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	61K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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ZVN2110GTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	0.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHING	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN2110GTA 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN2110A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

100 Volt V_DS

R_DS(on)= 4Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

100

320

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}100

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=100V, V_GS=0

µA

V_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

1.5

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=1A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te R_{DS (o n )}

Res is ta n ce (1)

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

250

m S

V_DS=25V,I_D=1A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r

Cap acita n ce (2)

C_{rs s}

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

t_{d (o ff)}

t_f

n s

V_DD≈25V, I_D=1A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sam ple test

(3) Switching tim es m easured with 50 Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

12 3

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ZVN2110GTA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSP122,115	NXP	功能相似	N-channel vertical D-MOS logic level FET SC-73 4-Pin

与ZVN2110GTA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN2110GTC	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN2110L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 1.5A I(D) \| TO-220
ZV-N21-2	OMRON	获取价格	Long Service Life and Large Breaking Power
ZVN2120A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2120A	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2120AM1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 180MA I(D) \| SO
ZVN2120ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2120ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN2120ASMTC	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVN2120ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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