ZTX705STOB

更新时间： 2024-11-25 13:16:15

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关 PC 局域网
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX705STOB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX705STOB 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 3 MAY 94

ZTX704

ZTX705

FEATURES

120 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

Gain of 3K at I_C=1 Amp

P_tot=1 Watt

APPLICATIONS

Lamp, solenoid and relay drivers

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX704

-120

ZTX705

-140

-120

-10

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-100

Peak Pulse Current

-4

-1

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb= 25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

ZTX704

ZTX705

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

-120

-140

-120

-10

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_CEO(SUS)-100

V_(BR)EBO-10

I_CBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-0.1

-10

_CB=-100V

_CB=-120V

V_CB=-100V, T

µA

-0.1

=100°C

amb

=100°C

-10

V_CB=-120V, T

amb

Collector Cut-Off

Current

I_CES

-10

V_CES=-80V

µA

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-8V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

-1.3

-2.5

-1.3

-2.5

I_C=-1A, I_B=-1mA*

I_C=-2A, I_B=-2mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

-1.8

I_C=-1A, I_B=-10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

-1.7

IC=-1A, V_CE=-5V*

3-250

12 3

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ZTX712	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ZTX712K	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
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