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ZTX712

更新时间： 2024-01-23 04:24:53
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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ZTX712 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.25 V
Base Number Matches：1

ZTX712 数据手册

  
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
DARLINGTON TRANSISTOR  
ISSUE 1 – MAY 94  
ZTX712  
FEATURES  
*
*
*
60 Volt VCEO  
0.8 Amp continuous current  
Gain of 10K at IC=0.5 Amp  
APPLICATIONS  
Lamp, solenoid and relay drivers  
C
B
E
*
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
-80  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-60  
V
-10  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
IC  
-800  
mA  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/ °C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN. MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown V(BR)CBO  
Voltage  
-80  
IC=-10µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VCEO(SUS) -60  
V
V
IC=-10mA*  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)EBO  
-10  
IE=-10µA  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-100  
-100  
-1.25  
nA  
nA  
V
VCB=-60V, IE=0  
IEBO  
VEB=-8V, IC=0  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
IC=-800mA, IB=-8mA*  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
VBE(on)  
hFE  
-1.8  
V
IC=-800mA, VCE=-5V*  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
5K  
10K  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
IC=-500mA, VCE=-5V*  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3-253  
1

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