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ZTX614 PDF预览

ZTX614

更新时间： 2024-11-18 03:07:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 41K
描述
NPN Darlington Transistor

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ZTX614 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-226
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JEDEC-95代码：TO-226AEJESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZTX614 数据手册

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ZTX614  
NPN Darlington Transistor  
•
These device is designed for applications requiring extremely high  
gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage.  
Sourced from process 06.  
•
C
TO-226  
B
E
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
Units  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
CBO  
EBO  
V
V
120  
V
10  
V
I
- Continuous  
800  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
I
= 10mA, I = 0  
100  
120  
10  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 100µA, I = 0  
C
I
I
V
V
= 60V, I = 0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CB  
EB  
E
Emitter Cutoff Current  
= 8V, I = 0  
C
EBO  
On Characteristics*  
h
DC Current Gain  
I
I
= 100mA, V = 5V  
5000  
10000  
FE  
C
C
CE  
= 500mA, V = 5V  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 800mA, I = 8mA  
1.25  
1.8  
V
V
CE(sat)  
C
B
= 800mA, V = 5V  
BE(on)  
C
BE  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 1.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
1000  
8
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
50  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
125  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2002  
123

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ZTX614 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ZTX614 DIODES

类似代替

 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
BC549C DIOTEC

类似代替

 Si-Epitaxial PlanarTransistors
MPS6520 CENTRAL

功能相似

 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise

与ZTX614相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZTX614M1TA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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 		Transistor

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