ZTX649STOA

更新时间： 2024-01-21 23:37:39

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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3页	64K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX649STOA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	50 pF	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX649STOA 数据手册

NPN SILICON PLANAR

ZTX649

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 2 APRIL 94

FEATURES

25 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot=1 Watt

APPLICATIONS

Motor driver

E-Line

DC-DC converters

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

V_(BR)CBO35

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO25

I_C=10mA*

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E=100µA

Collector Cut-Off

Current

0.1

V_CB=30V

V_CB=30V,T

µA

=100°C

Emitter Cut-Off Current I_EBO

0.1

V_EB=4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.12

0.23

0.3

0.5

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=2A, I_B=200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

0.9

1.25

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.8

IC=1A, V_CE=2V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

100

200

150

I_C=50mA, V_CE=2V*

I_C=1A, V_CE=2V*

I_C=2A, V_CE=2V*

I_C=6A, V_CE=2V*

300

Transition Frequency

f_T

150

240

MHz

I_C=100mA, V_CE=5V

f=100MHz

3-216

12 3

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