ZTX618

更新时间： 2024-10-29 22:34:03

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管局域网
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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX618 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX618 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 2 JULY 1995

ZTX618

FEATURES

10A Peak pulse current

Excellent h_FEcharacteristics up to10A (pulsed)

Extremely low saturation voltage e.g. 7mV typ.

I_Ccont 3.5A

APPLICATIONS

Power MOSFET gate driver in conjunction with

complementary ZTX718

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

3.5

I_B

500

°C

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation

P_totp

P_tot

1.5

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

* Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.

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