BC549C

更新时间： 2024-11-17 22:48:15

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC549C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	0.98	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	420
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

BC549C 数据手册

BC 546 ... BC 549

NPN

General Purpose Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 546

65 V

85 V

80 V

6 V

BC 547

45 V

50 V

6 V

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

150ꢀC

BC 548/549

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted

E open

V_CE0

V_CES

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

C open

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 120

typ. 150

200...450

typ. 200

typ. 270

420...800

typ.400

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverst.

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausgangsleitwert

h_fe

h_ie

h_oe

typ. 220

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

typ. 330

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

typ. 600

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

中文翻译

下载PDF

BC549C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX614	FAIRCHILD	类似代替	NPN Darlington Transistor
ZTX614	DIODES	功能相似	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
BC546	FAIRCHILD	功能相似	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

与BC549C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC549C/D26Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549C/D27Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549C/D74Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549C/D75Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549C/L34Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549C/RR	ETC	获取价格	TRANSISTOR BIPOLAR
BC549C_D11Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor,
BC549C_L34Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
BC549C-AMMO	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC549CBK	DIOTEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

与BC549C相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC549C

BC549C 技术参数

BC549C 数据手册

BC549C 替代型号

与BC549C相关器件

与BC549C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC549C

BC549C 技术参数

BC549C 数据手册

BC549C 替代型号

与BC549C相关器件

与BC549C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？