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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC549CTA
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BC549CTA

更新时间： 2024-11-18 12:56:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管PC
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Switching and Applications

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BC549CTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.63
Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - BC549CTA - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz

BC549CTA 数据手册

 浏览型号BC549CTA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC549CTA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC549CTA的Datasheet PDF文件第4页 
BC546/547/548/549/550  
Switching and Applications  
•
•
•
High Voltage: BC546, V  
Low Noise: BC549, BC550  
Complement to BC556 ... BC560  
=65V  
CEO  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : BC546  
80  
50  
30  
V
V
V
CBO  
: BC547/550  
: BC548/549  
Collector-Emitter Voltage : BC546  
65  
45  
30  
V
V
V
CEO  
EBO  
: BC547/550  
: BC548/549  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
: BC546/547  
: BC548/549/550  
6
5
V
V
I
100  
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
15  
Units  
I
V
V
=30V, I =0  
nA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
=5V, I =2mA  
110  
800  
FE  
C
V
V
V
(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage I =10mA, I =0.5mA  
90  
200  
250  
600  
mV  
mV  
CE  
BE  
BE  
C
B
I =100mA, I =5mA  
C
B
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =10mA, I =0.5mA  
700  
900  
mV  
mV  
C
B
I =100mA, I =5mA  
C
B
V
=5V, I =2mA  
580  
660  
700  
720  
mV  
mV  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=5V, I =10mA  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
=5V, I =10mA, f=100MHz  
300  
3.5  
9
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
EB  
CE  
C
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
6
ob  
ib  
E
Input Capacitance  
=0.5V, I =0, f=1MHz  
pF  
C
NF  
Noise Figure  
: BC546/547/548  
: BC549/550  
: BC549  
=5V, I =200µA  
2
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
dB  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
1.2  
1.4  
1.4  
G
V
=5V, I =200µA  
CE  
C
: BC550  
R =2KΩ, f=30~15000MHz  
3
G
h
Classification  
FE  
Classification  
A
B
C
h
110 ~ 220  
200 ~ 450  
420 ~ 800  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
1234

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BC549CTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC548CTA FAIRCHILD

完全替代

 NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC549CTA ONSEMI

类似代替

 NPN外延硅晶体管

与BC549CTA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC549CZL1 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549D26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC549D27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC549D74Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC549D75Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC549G/D10Z TI

获取价格

 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549G/D11Z TI

获取价格

 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549G/D26Z TI

获取价格

 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549G/D27Z TI

获取价格

 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC549G/D74Z TI

获取价格

 		30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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