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ZTX384C PDF预览

ZTX384C

更新时间： 2024-09-13 20:04:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX384C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.91其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：250
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

ZTX384C 数据手册

 浏览型号ZTX384C的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON PLANAR  
ZTX384C  
LOW NOISE TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
*
30 Volt VCEO  
High Gain  
Low Noise  
APPLICATIONS  
Audio circuits  
*
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
45  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
6
V
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
200  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
350  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
45  
30  
6
V
IC=10µA, IE=0  
IC=2mA, IB=0  
IE=10µA, IC=0  
VCB=30V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
15  
15  
nA  
nA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.25  
0.6  
V
V
IC=10mA, IB=0.5mA*  
IC=100mA, IB=5mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
1.2  
0.7  
V
V
IC=100mA, IB=5mA*  
IC=2mA, VCE=5V  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
VBE(on)  
0.55  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
100  
250  
130  
IC=10µA, VCE=5V  
IC=2mA, VCE=5V  
IC=100mA, VCE=5V*  
400  
3-167  
12

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