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ZTX415 PDF预览

ZTX415

更新时间： 2024-01-18 06:16:07
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美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关局域网
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2页 65K
描述
NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR

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ZTX415 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.44最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

ZTX415 数据手册

 浏览型号ZTX415的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON PLANAR  
ZTX415  
AVALANCHE TRANSISTOR  
ISSUE 4 - NOVEMBER 1995  
FEATURES  
*
*
*
Specifically designed for Avalanche mode operation  
60A Peak Avalanche Current (Pulse width=20ns)  
Low inductance package  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Laser LED drivers  
C
B
E
Fast edge generation  
High speed pulse generators  
Suitable for single, series and parallel operation  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
260  
Collector-Emitter Voltage  
100  
V
Emitter-Base Voltage  
6
500  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current (Pulse Width=20ns)  
Power Dissipation  
mA  
A
ICM  
60  
Ptot  
680  
mW  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
TYP.  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CES 260  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=1mA  
Tamb= -55 to +175°C  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VCEO(sus) 100  
IC=100µA  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
6
IE=10µA  
Collector Cut-Off  
Current  
0.1  
10  
V
V
CB=180V  
CB=180V, Tamb=100°C  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
0.1  
0.5  
V
EB=4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
ISB  
V
IC=10mA, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
0.9  
V
IC=10mA, IB=1mA*  
Current in Second  
Breakdown (Pulsed)  
15  
25  
A
A
VC=200V, CCE=620pF  
VC=250V, CCE=620pF  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
25  
IC=10mA, VCE=10V*  
Transition Frequency  
fT  
40  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=20V  
f=20MHz  
Collector-Base  
Capacitance  
Ccb  
8
VCB=20V, IE=0  
f=100MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3-171  
12

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ZTX415 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ZTX415STZ DIODES

完全替代

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