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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX449DWP
ZTX449DWP PDF预览

ZTX449DWP

更新时间： 2024-09-13 13:00:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 61K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.026 INCH, G11, DIE-2

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ZTX449DWP 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.43
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：S-XUUC-N2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

ZTX449DWP 数据手册

 浏览型号ZTX449DWP的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON PLANAR  
ZTX449  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MARCH 1994  
FEATURES  
*
*
*
30 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
V
5
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
1
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
TYP.  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
50  
30  
5
V
V
V
IC=100µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=100µA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
0.1  
10  
V
V
CB=40V  
CB=40V, Tamb=100°C  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
0.1  
V
EB=4V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.5  
1
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.25  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Turn-on Voltage  
1
V
IC=1A,VCE=2V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
70  
100  
80  
IC=50mA, VCE=2V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
300  
15  
40  
IC=2A, VCE=2V*  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3-173  
12

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