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YJG100G04HHQ

更新时间： 2024-04-09 19:03:09

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扬杰 - YANGJIE		光电二极管
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YJG100G04HHQ 数据手册

YJG100G04HHQ

100

Tj=175℃

Tj=25℃

Tj=-55℃

VGS=10V

Tj=25℃

0.1

100

150

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

ID-Drain Current (A)

Vsd- Source to Drain Voltage (V)

Figure 7. RDS(on) VS Drain Current

Figure 8. Forward characteristics of reverse diode

1.1

1.4

ID=250uA

1.2

1.05

0.8

0.6

0.4

0.2

0.95

0.9

-75

-25

125

175

-75

-25

125

175

Tj-Junction Temperature (℃)

Figure 9. Normalized breakdown voltage

Figure 10. Normalized Threshold voltage

150

100

150

100

150

200

100

150

200

Tc-Case Temperature (℃)

Figure 11. Current dissipation

Figure 12. Power dissipation

4 / 7

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-D383

Rev.1.0,12-Dec-23

www.21yangjie.com

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