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YJG12NP10A

更新时间： 2024-09-18 15:19:47

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扬杰 - YANGJIE		/
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10页	347K
描述
DFN5060-8L

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YJG12NP10A 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJG12NP10A

N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET

Product Summary

NMOS

● V_DS

100V

● I_D

25A

● R_DS(ON)( at V_GS=10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=6V)

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

＜26mΩ

＜27mΩ

＜30mΩ

PMOS

● V_DS

-100V

● I_D

-12A

● R_DS(ON)( at V_GS=-10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-6V)

● R_DS(ON)( at V_GS=-4.5V)

＜120mΩ

＜125mΩ

＜130mΩ

General Description

● Split Gate Trench MOSFET technology

● Excellent package for heat dissipation

● Moisture Sensitivity Level 3

● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

● Halogen Free

Applications

● Load switching

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

Absolute Maximum Ratings (T =25℃ unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

NMOS

PMOS

-100

±20

2.5

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

100

V_GS

±20

T_A=25℃

1.6

T_A=100℃

T_C=25℃

Drain Current

I_D

-12

-7

T_C=100℃

Pulsed Drain Current ^A

Avalanche energy ^B

I_DM

-40

EAS

0.8

1.5

T_A=25℃

T_A=100℃

T_C=25℃

T_C=100℃

0.6

Total Power Dissipation ^C

P_D

Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55～+150

℃

1 / 10

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-E220

Rev.1.0,25-Apr-22

www.21yangjie.com

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