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XP4501 PDF预览

XP4501

更新时间： 2024-11-01 22:11:19
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP4501 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz

XP4501 数据手册

 浏览型号XP4501的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP4501  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For general amplification  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
■
2
3
5
4
●
Two elements incorporated into one package.  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
●
Basic Part Number of Element  
2SD601A × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base (Tr1)  
3 : Collector (Tr2) 6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
4 : Emitter (Tr2)  
5 : Base (Tr2)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
60  
S–Mini Type Package (6–pin)  
50  
7
V
Rating  
of  
element  
V
Marking Symbol: 5H  
Internal Connection  
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
200  
PT  
150  
Tr1  
1
2
3
6
5
4
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
60  
50  
7
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
IC = 10µA, IE = 0  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
IC = 2mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
V
VCB = 20V, IE = 0  
0.1  
100  
460  
0.3  
µA  
µA  
Collector cutoff current  
VCE = 10V, IB = 0  
Forward current transfer ratio  
VCE = 10V, IC = 2mA  
IC = 100mA, IB = 10mA  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
160  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.1  
150  
3.5  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
Collector output capacitance  
Cob  
1
12

中文翻译

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XP4501 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTC114YKAT146 ROHM

功能相似

 NPN 100mA 50V Digital Transistors
NSS30101LT1G ONSEMI

功能相似

 30 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

与XP4501相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XP4501TX PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
XP4506 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer transistor
XP4601 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor
XP4654 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor
XP4654TX PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
XP4683 PANASONIC

获取价格

 		NPN(PNP) epitaxial planer transistor
XP5501 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer transistor
XP5553 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer transistor
XP5553TX PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
XP5555 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer transistor

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